IDT7035S/L
High-Speed 8K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (6)
7035X15
Com'l Only
7035X20
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
Write Hold After BUSY
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
t APS
t BDD
t WH
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Acce ss Time from Chip Enable Low
BUSY Acce ss Time from Chip Enable High
Arbitration Priority Set-up Time (2)
BUSY Disable to Valid Data (3)
(5)
____
____
____
____
5
____
12
15
15
15
15
____
18
____
____
____
____
____
5
____
15
20
20
20
17
____
30
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
Write Hold After BUSY (5)
0
12
____
____
0
15
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
Write Pulse to Data Delay (1)
____
30
____
45
ns
t DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
____
25
____
30
ns
NOTES:
4088 tbl 14
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Read With BUSY (M/ S = V IH )" or "Timing Waveform of Write with
Port-To-Port Delay (M/ S = V IH )".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t BDD is a calculated parameter and is the greater of 0ns, t WDD – t WP (actual) or t DDD – t DW (actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on Port "B" during contention with Port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on Port "B" after contention with Port "A".
6. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
11
6.42
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